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功率二極管結(jié)構(gòu)和工作原理

在本征半導(dǎo)體中摻入P型和N型雜質(zhì),其交界處就形成了PN結(jié),在PN結(jié)的兩端引出兩個電極,并在外面裝上管殼,就成為半導(dǎo)體二極管。如果一雜質(zhì)半導(dǎo)體和金屬形成整流接觸,并在兩端引出兩個電極,則成為肖特基二極管。
二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理:
PN結(jié)的形成及二極管的單向?qū)щ娦悦枋鋈缦拢?br /> 如下圖1所示,對于一塊純凈的半導(dǎo)體,如果它的一側(cè)是P區(qū),另一側(cè)為N區(qū),則在P區(qū)和N區(qū)之間形成一交界面。N區(qū)的多子(電子)向P區(qū)運動,P區(qū)的多子(空穴)向N區(qū)運動,這種由于濃度差異而引起的運動稱為“擴散運動”。擴散到P區(qū)的電子不斷地與空穴復(fù)合,同時P區(qū)的空穴向N區(qū)擴散,并與N區(qū)中的電子復(fù)合。交界面兩側(cè)多子復(fù)合的結(jié)果就出現(xiàn)了由不能移動的帶電離子組成的“空間電荷區(qū)”。N區(qū)一側(cè)出現(xiàn)正離子區(qū),P區(qū)一側(cè)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū),正負(fù)離子在交界面兩側(cè)形成一個內(nèi)電場。這個內(nèi)電場對多子的擴散運動起阻礙作用的同時,又有利于N區(qū)的少子(空穴)進入P區(qū),P區(qū)的少子(電子)進入N區(qū),這種在內(nèi)電場作用下少子的運動稱為“漂移運動”。擴散運動有助于內(nèi)電場的加強,內(nèi)電場的加強將阻礙多子的擴散,而有助于少子的漂移,少子漂移運動的加強又將削弱內(nèi)電場,又有助于多子的擴散,最終擴散運動和漂移運動必在一定溫度下達(dá)到動態(tài)平衡。即在單位時間內(nèi)P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴數(shù)量等于由P區(qū)漂移到N區(qū)的自由電子數(shù)量,形成彼此大小相等,方向相反的漂移電流和擴散電流,交界面的總電流為零。在動態(tài)平衡時,交界面兩側(cè)缺少載流子的區(qū)域稱為“耗盡層“,這就形成了PN結(jié)。
PN結(jié)及空間電荷區(qū)
如圖2所示,當(dāng)PN結(jié)處于正偏,即P區(qū)接電源正端,N區(qū)接電源負(fù)端時,外加電場與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反,內(nèi)電場被削弱,耗盡層變寬,打破了PN結(jié)的平衡狀態(tài),使擴散占優(yōu)勢。多子形成的擴散電流通過回路形成很大的正向電流,此時PN結(jié)呈現(xiàn)的正向電阻很小,稱為“正向?qū)у?rdquo;。當(dāng)PN結(jié)上流過的正向電流較小時,二極管的電阻主要是作為基片的低摻雜N區(qū)的歐姆電阻,其阻值較高且為常量,因而管壓降隨正向電流的上升而增加;當(dāng)PN結(jié)上流過的正向電流較大時,注入并積累在低摻雜N區(qū)的少子空穴濃度將很大,為了維持半導(dǎo)體電中性條件,其多子濃度也相應(yīng)大幅度增加,使得其電阻率明顯下降,也就是電導(dǎo)率大大增加,這就是電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使得PN結(jié)在正向電流較大時壓降仍然很低,維持在1V左右,所以正向偏置的PN結(jié)表現(xiàn)為低阻態(tài),為保護PN結(jié),通常要在回路中串聯(lián)一個限流電阻。
外加正向電壓時的PN結(jié)
如圖3所示,當(dāng)PN結(jié)處于反偏,即P區(qū)接電源負(fù)端,N區(qū)接電源正端時,外加電場與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同,內(nèi)電場被加強,耗盡層變寬,打破了PN結(jié)的平衡狀態(tài),使漂移占優(yōu)勢。兩區(qū)的少子在內(nèi)電場作用下漂移過PN結(jié)形成了反向電流。因為少子濃度很低,所以反向電流很小,而且在溫度一定時,少子的濃度基本保持恒定,故又稱反向電流為反向飽和電流,用Is表示。反偏的PN結(jié)所呈現(xiàn)的反向電阻很大,稱為“反向截止”。
外加反向電壓時的PN結(jié)
由以上分析可知,PN結(jié)外加正向電壓時,表現(xiàn)為正向?qū);外加反向電壓時,表現(xiàn)為反向截止,這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?br />     PN結(jié)具有一定的反向耐壓能力,但當(dāng)施加的反向電壓過大,反向電流將會急劇增大,破壞PN結(jié)反向偏置為截止的工作狀態(tài),這就叫反向擊穿。反向擊穿按照機理不同有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種形式。反向擊穿發(fā)生時,只要外電路中采取了措施,將反向電流限制在一定范圍內(nèi),則當(dāng)反向電壓降低后PN結(jié)仍可恢復(fù)原來的狀態(tài)。但如果反向電流未被限制住,使得反向電流和反向電壓的乘積超過了PN結(jié)容許的耗散功率,就會因熱量散發(fā)不出去而導(dǎo)致PN結(jié)溫度上升,直至過熱而燒毀,這就是熱擊穿。
PN結(jié)中的電荷量隨外加電壓而變化,呈現(xiàn)電容效應(yīng),稱為結(jié)電容C-,又稱為微分電容。結(jié)電容按其產(chǎn)生機制和作用的差別分為勢壘電容CB和擴散電容Cm勢壘電容只在外加電壓變化時才起作用,外加電壓頻率越高,勢壘電容作用越明顯。勢壘電容的大小與PN結(jié)截面積成正比,與阻擋層厚度成反比,而擴散電容僅在正向偏置時起作用。在正向偏置時,當(dāng)正向電壓較低時,勢壘電容為主;正向電壓較高時,擴散電容為結(jié)電容主要成分。結(jié)電容影響PN結(jié)的工作頻率,特別是在高速開關(guān)的狀態(tài)下,可能使其單向?qū)щ娦宰儾,甚至不能工作,?yīng)用時應(yīng)加以注意。
在PN結(jié)的兩端引出兩個電極,并用管殼封裝便就成為二極管,如圖4所示。P區(qū)的引出線稱為陽極,N區(qū)的引出線稱為陰極。
半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及圖形符號
    功率二極管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理與普通的小功率二極管均是一樣的,都是由半導(dǎo)體PN結(jié)構(gòu)成的,具有單向?qū)щ娦,在電路中起正方向(qū)娏鳌⒎捶较蜃钄嚯娏鞯淖饔。功率二極管的電氣符號與普通二極管也一樣,如圖4所示。與普通二極管不同的是功率二極管的PN結(jié)面積較大,因此過流能力增強了,可以通過較大的電流。
功率二極管的導(dǎo)通和截止不能通過控制電路進行控制,而是完全取決于其兩端外加電壓的方向和大小,因此成為不可控器件。
    由于功率二極管正向?qū)〞r要流過很大的電流,其電流密度較大,因而額外載流子的注入水平較高,電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)不能忽略,而且其引線和焊接電阻的壓降等都有明顯的影響;再加上其承受的電流變化率di/dt較大,因而其引線和器件自身的電感效應(yīng)也會有較大影響。此外,為了提高反向耐壓,其摻雜濃度低也造成正向壓降較大。這些都使得功率二極管與信息電子電路中的普通二極管有所區(qū)別。
還應(yīng)特別指出,當(dāng)環(huán)境溫度升高時,由于熱激發(fā)使半導(dǎo)體內(nèi)載流于的濃度增加,因此PN結(jié)反向飽和電流將增大。這是造成半導(dǎo)體器件工作時不穩(wěn)定的重要因索,在實際應(yīng)用中必須加以考慮。
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