熱銷產(chǎn)品
2SP0115T2C0以及2SP0320T2C0的使用說明
2SP0115T2C0/2SP0320T2C0與以往對應驅(qū)動板的不同之處在于原邊信號的處理：
1. 通常，IGBT的應用中都存在比較強的EMI。鑒于在3.3V,5V的邏輯電平在這樣的應用條件較易引入干擾，所以2SP0115T2C0/2SP0320T2C0取消了兼容3.3V,5V的邏輯電平，只適用于信號為15V的邏輯電平；
2. 在INA/INB的信號處理上，驅(qū)動器本身植入了分壓電路，直接將施密特特性的邏輯低電平的門檻從1.3V提高為5V，將邏輯高電平的門檻從2.6V提高為10.5V。
3. 驅(qū)動器分別將兩路狀態(tài)信號SO1，SO2通過10k電阻上拉；
4. 如果客戶在SO1，SO2信號接收處通過一個高阻抗電阻下拉的話(如150k)，可實現(xiàn)驅(qū)動器與控制器之間連接線斷線的檢測功能；
針對C0驅(qū)動器的外圍電路設計：
主要體現(xiàn)在SO信號的處理完全不同：
2SP0115T2A0/B0 或2SP0320T2A0/B0 SO信號通過電阻上拉至3.3V…15V
2SP0115T2C0 或2SP0320T2C0 SO信號通過高阻值電阻下拉至GND
針對C0驅(qū)動器的外圍電路設計：
注意：
1.為了避免R1，R2分別與10k電阻形成分壓電路，R1，R2需采用大阻抗電阻，如大于等于150k
2. 與以往同類型產(chǎn)品不同之處是SO無需再上拉至15V，而是可以下拉至GND.
與2SP0115T2A0/B0以及2SP0320T2A0/B0的外圍電路設計區(qū)別：主要體現(xiàn)在SO信號的處理完全不同：
2SP0115T2C0 或2SP0320T2C0 SO信號通過高阻值電阻下拉至GND
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