IGBT模塊的損耗特性

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。另外，內置續(xù)流二極管的損耗為導通損耗與關斷（反向恢復）損耗(ERR)之和。 EON、EOFF、ERR與開關頻率的乘積為平均損耗。
IGBT的損耗： 續(xù)流二極管的反向恢復損耗： 反向恢復損耗 ERR
開關特性的測試： PDMB100B12開通損耗EON測量范例： PDMB100B12關斷損耗EOFF測量范例： 1200V B系列開通損耗 EON （Tj= 125℃），有關門極系列阻抗RG請參閱技術規(guī)格。